IXYS Type N-Channel MOSFET, 90 A, 600 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN110N60P3

此圖片僅供參考,請參閲產品詳細資訊及規格

可享批量折扣

小計(1 管,共 10 件)*

TWD13,420.00

(不含稅)

TWD14,091.00

(含稅)

Add to Basket
選擇或輸入數量
有庫存
  • 加上 70 件從 2026年1月05日 起發貨
**需要更多嗎?**輸入您需要的數量,然後按一下「查看送貨日期」以查詢更多庫存和送貨詳細資訊。
單位
每單位
每管*
10 - 10TWD1,342.00TWD13,420.00
20 - 30TWD1,288.30TWD12,883.00
40 +TWD1,249.70TWD12,497.00

* 參考價格

RS庫存編號:
168-4756
製造零件編號:
IXFN110N60P3
製造商:
IXYS
透過選取一個或多個屬性來查找類似產品。
選取全部

品牌

IXYS

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

90A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

SOT-227

Mount Type

Panel

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

56mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

245nC

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Power Dissipation Pd

1.5kW

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

25.07 mm

Height

9.6mm

Standards/Approvals

No

Length

38.23mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
US

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series


A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

相關連結