製造零件編號

Infineon FP25R12W2T4B11BOMA1 IGBT Module, 39 A 1200 V

RS庫存編號:: 244-5389
製造零件編號:: FP25R12W2T4B11BOMA1
製造商:: Infineon

Infineon FP25R12W2T4B11BOMA1 IGBT Module, 39 A 1200 V

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RS庫存編號:: 244-5389
製造零件編號:: FP25R12W2T4B11BOMA1
製造商:: Infineon

規格

產品概覽和技術數據資料表

法例與合規

產品詳細資訊

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選取全部	屬性	值
	品牌	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current	39 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	1200 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	+/-20V
	Number of Transistors	7
	Maximum Power Dissipation	175 W

	選取全部
	品牌 Infineon
	Maximum Continuous Collector Current 39 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
	Maximum Gate Emitter Voltage +/-20V
	Number of Transistors 7
	Maximum Power Dissipation 175 W

Datasheet - FP25R12W2T4B11BOMA1

The infineon IGBT module the maximum rated repetitive peak collector current is 50 A and maximum collector-emitter saturation voltag 2.25 V, gate threshold voltage is 6.4 V.

Collector-emitter cut-off current 1.0 mA
Temperature under switching conditions 150° C
Gate-emitter leakage current 400 nA
Reverse transfer capacitance 0.05 nF

Infineon FP25R12W2T4B11BOMA1 IGBT Module, 39 A 1200 V

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