Infineon FP75R12KT4B11BOSA1 IGBT Module 1200 V

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包裝方式:
RS庫存編號:
244-5848
製造零件編號:
FP75R12KT4B11BOSA1
製造商:
Infineon
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品牌

Infineon

Product Type

IGBT Module

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Number of Transistors

7

Maximum Power Dissipation Pd

385W

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.15V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

62 mm

Series

FP75R12KT4B11B

Length

122mm

Height

17mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, motor drives, servo drives etc.

Electrical Features

Low switching losses

Tvj op = 150° C

VCEsat with positive temperature coefficient

Low VCEsat

Mechanical features

High power and thermal cycling capability

Integrated NTC temperature sensor

Copper base plate

Pressfit contact technology

Standard housing

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