Infineon FP75R12KT4B11BOSA1 IGBT Module, 75 A 1200 V
- RS庫存編號:
- 244-5848
- 製造零件編號:
- FP75R12KT4B11BOSA1
- 製造商:
- Infineon
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- RS庫存編號:
- 244-5848
- 製造零件編號:
- FP75R12KT4B11BOSA1
- 製造商:
- Infineon
規格
產品概覽和技術數據資料表
法例與合規
產品詳細資訊
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選取全部 | 屬性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 75 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V | |
| Maximum Power Dissipation | 385 W | |
| Number of Transistors | 7 | |
| 選取全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 75 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V | ||
Maximum Power Dissipation 385 W | ||
Number of Transistors 7 | ||
The infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, motor drives, servo drives etc.
Electrical Features
Low switching losses
Tvj op = 150° C
VCEsat with positive temperature coefficient
Low VCEsat
Mechanical features
High power and thermal cycling capability
Integrated NTC temperature sensor
Copper base plate
Pressfit contact technology
Standard housing
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