Infineon FP10R12W1T4BOMA1 IGBT Module 1200 V

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包裝方式:
RS庫存編號:
244-5384
製造零件編號:
FP10R12W1T4BOMA1
製造商:
Infineon
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品牌

Infineon

Product Type

IGBT Module

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Number of Transistors

7

Maximum Power Dissipation Pd

105W

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.25V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Series

FP10R12W1T4B

Length

62.8mm

Height

12mm

Automotive Standard

No

The infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, motor drives and air conditioning etc.

Electrical features

Low switching losses

Trench IGBT 3

VCEsat with positive temperature coefficient

Low VCEsat

Mechanical features

Al2O3 substrate with low thermal resistance

Compact design

Solder contact technology

Rugged mounting due to integrated mounting clamps

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