製造零件編號

Infineon FP100R12KT4B11BOSA1 IGBT Module 1200 V

Name: Infineon FP100R12KT4B11BOSA1 IGBT Module 1200 V
Brand: Infineon
SKU: 244-5377
Price: 4434.15 TWD
Availability: InStock

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產品詳細資訊

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選取全部	屬性	值
	品牌	Infineon
	Product Type	IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	1200V
	Number of Transistors	7
	Maximum Power Dissipation Pd	515W
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2.1V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	62 mm
	Length	122mm
	Height	17mm
	Series	FP100R12KT4B11
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	選取全部
	品牌 Infineon
	Product Type IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V
	Number of Transistors 7
	Maximum Power Dissipation Pd 515W
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.1V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 62 mm
	Length 122mm
	Height 17mm
	Series FP100R12KT4B11
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

The infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, motor drives and servo drives etc.

Electrical features

Low switching losses

Tvj op = 150° C

VCEsat with positive temperature coefficient

Low VCEsat

Mechanical features

High power and thermal cycling capability

Integrated NTC temperature sensor

Copper base plate

Pressfit contact technology

Standard housing

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