製造零件編號

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 6.5 A, 30 V SO-8 IRF7313TRPBF

RS庫存編號:: 257-9301
製造零件編號:: IRF7313TRPBF
製造商:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 6.5 A, 30 V SO-8 IRF7313TRPBF

此圖片僅供參考，請參閲產品詳細資訊及規格

可享批量折扣

小計（1 包，共 10 件）*

TWD228.00

(不含稅)

TWD239.40

訂單超過 $1,300.00 免費送貨

有庫存

1,400 件準備從其他地點送貨

**需要更多嗎？**輸入您需要的數量，然後按一下「查看送貨日期」以查詢更多庫存和送貨詳細資訊。

單位	每單位	每包*
10 - 40	TWD22.80	TWD228.00
50 - 90	TWD21.70	TWD217.00
100 - 490	TWD20.30	TWD203.00
500 - 1990	TWD19.00	TWD190.00
2000 +	TWD17.50	TWD175.00

* 參考價格

RS庫存編號:: 257-9301
製造零件編號:: IRF7313TRPBF
製造商:: Infineon

規格

產品概覽和技術數據資料表

法例與合規

產品詳細資訊

透過選取一個或多個屬性來查找類似產品。

選取全部	屬性	值
	品牌	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	6.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	HEXFET
	Package Type	SO-8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	46mΩ
	Forward Voltage Vf	0.78V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	2W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	22nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	選取全部
	品牌 Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 6.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series HEXFET
	Package Type SO-8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 46mΩ
	Forward Voltage Vf 0.78V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 2W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 22nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - IRF7313TRPBF

The Infineon IRF series is the 30V dual n channel HEXFET power mosfet in a SO 8 package.

RoHS compliant

Low RDS(on)

Dynamic dv/dt rating

Fast switching

Dual n channel mosfet

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 6.5 A, 30 V SO-8 IRF7313TRPBF

訂單超過 $1,300.00 免費送貨

相關連結