Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 18.7 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 Si4090BDY-T1-GE3

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RS庫存編號:
228-2820
製造零件編號:
Si4090BDY-T1-GE3
製造商:
Vishay
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品牌

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

18.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

TrenchFET

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

10mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

7.4W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

46.5nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.75mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay TrenchFET N-Channel power MOSFET is use for DC/DC primary side switch, Telecom / server, Motor drive control and Synchronous rectification.

100 % Rg and UIS tested

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