Vishay Si4164DY Type N-Channel TrenchFET Power MOSFET, 30 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4164DY-T1-GE3

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包裝方式:
RS庫存編號:
812-3198
製造零件編號:
SI4164DY-T1-GE3
製造商:
Vishay
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品牌

Vishay

Product Type

TrenchFET Power MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

30A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SOIC

Series

Si4164DY

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0032Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

26.5nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Power Dissipation Pd

6W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

0.72V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

5mm

Standards/Approvals

JEDEC JS709A, RoHS

Height

1.55mm

Width

4 mm

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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