製造零件編號

Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 30 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISA10DN-T1-GE3

RS庫存編號:: 787-9409
製造零件編號:: SISA10DN-T1-GE3
製造商:: Vishay

Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 30 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISA10DN-T1-GE3

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RS庫存編號:: 787-9409
製造零件編號:: SISA10DN-T1-GE3
製造商:: Vishay

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產品詳細資訊

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選取全部	屬性	值
	品牌	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	30A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	PowerPAK 1212
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	5mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	0.8V
	Maximum Power Dissipation Pd	39W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	34nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1.12mm
	Standards/Approvals	No
	Width	3.4 mm
	Length	3.4mm
	Automotive Standard	No

	選取全部
	品牌 Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 30A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type PowerPAK 1212
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 5mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 0.8V
	Maximum Power Dissipation Pd 39W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 34nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1.12mm
	Standards/Approvals No
	Width 3.4 mm
	Length 3.4mm
	Automotive Standard No

Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 30 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISA10DN-T1-GE3

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N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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