製造零件編號

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 5.1 A, 55 V Enhancement, 4-Pin SOT-223

RS庫存編號:: 262-6765
製造零件編號:: IRFL024ZTRPBF
製造商:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 5.1 A, 55 V Enhancement, 4-Pin SOT-223

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RS庫存編號:: 262-6765
製造零件編號:: IRFL024ZTRPBF
製造商:: Infineon

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產品詳細資訊

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選取全部	屬性	值
	品牌	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	5.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	55V
	Package Type	SOT-223
	Series	HEXFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.075Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	選取全部
	品牌 Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 5.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 55V
	Package Type SOT-223
	Series HEXFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.075Ω
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - IRFL024ZTRPBF

The Infineon power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. This design has additional features such as 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating.

Ultra low on-resistance

Repetitive avalanche allowed up to Tjmax

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 5.1 A, 55 V Enhancement, 4-Pin SOT-223

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