製造零件編號

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 2.8 A, 55 V Enhancement, 4-Pin SOT-223

RS庫存編號:: 262-6763
製造零件編號:: IRFL024NTRPBF
製造商:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 2.8 A, 55 V Enhancement, 4-Pin SOT-223

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RS庫存編號:: 262-6763
製造零件編號:: IRFL024NTRPBF
製造商:: Infineon

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產品詳細資訊

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選取全部	屬性	值
	品牌	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	2.8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	55V
	Package Type	SOT-223
	Series	HEXFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.075Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	選取全部
	品牌 Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 2.8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 55V
	Package Type SOT-223
	Series HEXFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.075Ω
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - IRFL024NTRPBF

The Infineon power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. It provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Ultra low on-resistance

Dynamic dv/dt rating

Fasts switching

Fully avalanche rated

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 2.8 A, 55 V Enhancement, 4-Pin SOT-223

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