製造零件編號

Infineon iPB Type P-Channel MOSFET, 120 A, 40 V Enhancement TO-263

RS庫存編號:: 258-3797
製造零件編號:: IPB120P04P404ATMA2
製造商:: Infineon

Infineon iPB Type P-Channel MOSFET, 120 A, 40 V Enhancement TO-263

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RS庫存編號:: 258-3797
製造零件編號:: IPB120P04P404ATMA2
製造商:: Infineon

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產品詳細資訊

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選取全部	屬性	值
	品牌	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	120A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	TO-263
	Series	iPB
	Mount Type	Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds	125mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	AEC-Q101

	選取全部
	品牌 Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 120A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type TO-263
	Series iPB
	Mount Type Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds 125mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - IPB120P04P404ATMA2

The Infineon OptiMOS-P2 power-transistor is lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. Robust packages with superior quality and reliability.

No charge pump required for high side drive

Simple interface drive circuit

Highest current capability

Infineon iPB Type P-Channel MOSFET, 120 A, 40 V Enhancement TO-263

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