Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 120 A Enhancement TO-263 IPB120N06S403ATMA2

此圖片僅供參考,請參閲產品詳細資訊及規格

可享批量折扣

小計(1 包,共 2 件)*

TWD166.00

(不含稅)

TWD174.30

(含稅)

Add to Basket
選擇或輸入數量
有庫存
  • 加上 984 件從 2026年1月26日 起發貨
**需要更多嗎?**輸入您需要的數量,然後按一下「查看送貨日期」以查詢更多庫存和送貨詳細資訊。
單位
每單位
每包*
2 - 48TWD83.00TWD166.00
50 - 98TWD75.00TWD150.00
100 - 248TWD61.00TWD122.00
250 - 498TWD60.00TWD120.00
500 +TWD51.50TWD103.00

* 參考價格

包裝方式:
RS庫存編號:
260-5118
製造零件編號:
IPB120N06S403ATMA2
製造商:
Infineon
透過選取一個或多個屬性來查找類似產品。
選取全部

品牌

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

120A

Package Type

TO-263

Series

iPB

Mount Type

Surface

Channel Mode

Enhancement

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon N channel optiMOS power MOSFETs provide excellent gate charge. It has highest current capability. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.

N channel enhancement mode

MSL1 up to 260°C peak reflow

100% Avalanche tested

相關連結