製造零件編號

Infineon iPB Type P-Channel MOSFET, 80 A, 40 V Enhancement TO-263 IPB80P04P4L06ATMA2

RS庫存編號:: 258-3820
製造零件編號:: IPB80P04P4L06ATMA2
製造商:: Infineon

Infineon iPB Type P-Channel MOSFET, 80 A, 40 V Enhancement TO-263 IPB80P04P4L06ATMA2

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RS庫存編號:: 258-3820
製造零件編號:: IPB80P04P4L06ATMA2
製造商:: Infineon

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產品詳細資訊

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選取全部	屬性	值
	品牌	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	80A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Series	iPB
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds	40.7mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	AEC-Q101

	選取全部
	品牌 Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 80A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Series iPB
	Package Type TO-263
	Mount Type Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds 40.7mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - IPB80P04P4L06ATMA2

The Infineon OptiMOS-P2 power-transistor is P-channel logic level enhancement mode. It has 175°C operating temperature.

AEC qualified

MSL1 up to 260°C peak reflow

Infineon iPB Type P-Channel MOSFET, 80 A, 40 V Enhancement TO-263 IPB80P04P4L06ATMA2

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