製造零件編號

Toshiba Silicon N-Channel MOSFET, 3.5 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 SSM3K329R,LF(T

RS庫存編號:: 236-3575
製造零件編號:: SSM3K329R,LF(T
製造商:: Toshiba

Toshiba Silicon N-Channel MOSFET, 3.5 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 SSM3K329R,LF(T

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製造零件編號:: SSM3K329R,LF(T
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規格

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法例與合規

產品詳細資訊

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選取全部	屬性	值
	品牌	Toshiba
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current	3.5 A
	Maximum Drain Source Voltage	30 V
	Package Type	SOT-23
	Mounting Type	Surface Mount
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance	2.89e+008 Ω
	Maximum Gate Threshold Voltage	1V
	Number of Elements per Chip	1
	Transistor Material	Silicon

	選取全部
	品牌 Toshiba
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current 3.5 A
	Maximum Drain Source Voltage 30 V
	Package Type SOT-23
	Mounting Type Surface Mount
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance 2.89e+008 Ω
	Maximum Gate Threshold Voltage 1V
	Number of Elements per Chip 1
	Transistor Material Silicon

Datasheet - SSM3K329R,LF(T

The Toshiba field effect transistor made up of the silicon material and having N channel MOS type. It is mainly used in power management switching and high speed switching applications.

Storage temperature range −55 to 150 °C

Toshiba Silicon N-Channel MOSFET, 3.5 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 SSM3K329R,LF(T

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