Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 67.4 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH SiSH536DN-T1-GE3

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包裝方式:
RS庫存編號:
228-2929
製造零件編號:
SiSH536DN-T1-GE3
製造商:
Vishay
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品牌

Vishay

Series

TrenchFET

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current (Id)

67.4 A

Maximum Drain Source Voltage (Vds)

30 V

Channel Mode

Enhancement

Pin Count

8

Package Type

PowerPAK 1212-8SH

Automotive Standard

No

Maximum Drain Source Resistance (Rds)

3.25 mΩ

Maximum Gate Source Voltage (Vgs)

16 V

Maximum Operating Temperature

150 °C

Maximum Power Dissipation (Pd)

26.5 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Mount Type

Surface

Standards/Approvals

No

Typical Gate Charge (Qg) @ Vgs

16.6 nC

The Vishay N-Channel 30 V (D-S) MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

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