Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 14.2 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiS110DN-T1-GE3

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包裝方式：
RS庫存編號:
178-3962
製造零件編號:
SiS110DN-T1-GE3
製造商:
Vishay Siliconix
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品牌

Vishay Siliconix

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

14.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

PowerPAK 1212

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

70mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

24W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

8.5nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.15mm

Height

1.07mm

Standards/Approvals

No

Width

3.15 mm

Automotive Standard

No

豁免

COO (Country of Origin):
CN
TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM

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