Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 27 A, 20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212

此圖片僅供參考,請參閲產品詳細資訊及規格

可享批量折扣

小計(1 卷,共 3000 件)*

TWD30,300.00

(不含稅)

TWD31,800.00

(含稅)

Add to Basket
選擇或輸入數量
暫時缺貨
  • 2026年6月08日 發貨
**需要更多嗎?**輸入您需要的數量,然後按一下「查看送貨日期」以查詢更多庫存和送貨詳細資訊。
單位
每單位
每卷*
3000 - 3000TWD10.10TWD30,300.00
6000 +TWD9.80TWD29,400.00

* 參考價格

RS庫存編號:
165-6922
製造零件編號:
SISS23DN-T1-GE3
製造商:
Vishay
透過選取一個或多個屬性來查找類似產品。
選取全部

品牌

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

27A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK 1212

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

11.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

57W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

195nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

8 V

Forward Voltage Vf

-0.8V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.3mm

Standards/Approvals

No

Width

3.3 mm

Height

0.78mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


相關連結