Vishay Dual TrenchFET 2 Type P, Type N-Channel MOSFET, 4 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Dual

此圖片僅供參考,請參閲產品詳細資訊及規格

可享批量折扣

小計(1 包,共 10 件)*

TWD222.00

(不含稅)

TWD233.10

(含稅)

Add to Basket
選擇或輸入數量
最後的 RS 庫存
  • 最終 5,920 個,準備發貨
單位
每單位
每包*
10 - 40TWD22.20TWD222.00
50 - 90TWD21.70TWD217.00
100 - 240TWD21.10TWD211.00
250 - 990TWD20.60TWD206.00
1000 +TWD19.90TWD199.00

* 參考價格

包裝方式:
RS庫存編號:
228-2925
製造零件編號:
SiS590DN-T1-GE3
製造商:
Vishay
透過選取一個或多個屬性來查找類似產品。
選取全部

品牌

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P, Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

PowerPAK 1212-8 Dual

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.251Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

23.1W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

4.5nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Transistor Configuration

Dual

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

The Vishay Combo N- & P-Channel -100 V MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

相關連結