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    N-Channel MOSFET, 18 A, 200 V, 3-Pin TO-220AB Infineon IRF640NPBF

    RS庫存編號:
    919-4817
    製造零件編號:
    IRF640NPBF
    製造商:
    Infineon
    Infineon
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    50 - 50TWD45.40TWD2,270.00
    100 - 150TWD44.40TWD2,220.00
    200 +TWD43.40TWD2,170.00
    * 參考價格
    RS庫存編號:
    919-4817
    製造零件編號:
    IRF640NPBF
    製造商:
    Infineon
    COO (Country of Origin):
    MX

    產品概覽和技術數據資料表


    法例與合規

    COO (Country of Origin):
    MX

    產品詳細資訊

    N-Channel Power MOSFET 150V to 600V, Infineon




    規格

    屬性
    Channel TypeN
    Maximum Continuous Drain Current18 A
    Maximum Drain Source Voltage200 V
    Package TypeTO-220AB
    Mounting TypeThrough Hole
    Pin Count3
    Maximum Drain Source Resistance150 mΩ
    Channel ModeEnhancement
    Maximum Gate Threshold Voltage4V
    Minimum Gate Threshold Voltage2V
    Maximum Power Dissipation150 W
    Transistor ConfigurationSingle
    Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
    Number of Elements per Chip1
    Maximum Operating Temperature+175 °C
    Typical Gate Charge @ Vgs67 nC @ 10 V
    Transistor MaterialSi
    SeriesHEXFET
    Height8.77mm
    Minimum Operating Temperature-55 °C
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