Vishay SQ Rugged Type P-Channel MOSFET, 6.2 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC SQ4431EY-T1_GE3

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包裝方式：
RS庫存編號:
819-3920
製造零件編號:
SQ4431EY-T1_GE3
製造商:
Vishay
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品牌

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

6.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

SQ Rugged

Package Type

SOIC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

52mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

-1.1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

6W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

25nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

4 mm

Length

5mm

Standards/Approvals

No

Height

1.55mm

Automotive Standard

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN

P-Channel MOSFET, SQ Rugged Series, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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