製造零件編號

Vishay Si1012CR Type N-Channel MOSFET, 630 mA, 20 V Enhancement, 3-Pin SC-75 SI1012CR-T1-GE3

RS庫存編號:: 787-9005
製造零件編號:: SI1012CR-T1-GE3
製造商:: Vishay

Vishay Si1012CR Type N-Channel MOSFET, 630 mA, 20 V Enhancement, 3-Pin SC-75 SI1012CR-T1-GE3

此圖片僅供參考，請參閲產品詳細資訊及規格

可享批量折扣

小計（1 組，共 20 件）*

TWD106.00

(不含稅)

TWD111.20

訂單超過 $1,300.00 免費送貨

暫時缺貨

從 2026年5月25日發貨

**需要更多嗎？**輸入您需要的數量，然後按一下「查看送貨日期」以查詢更多庫存和送貨詳細資訊。

單位	每單位	每膠帶*
20 - 740	TWD5.30	TWD106.00
760 - 1480	TWD5.20	TWD104.00
1500 +	TWD5.10	TWD102.00

* 參考價格

RS庫存編號:: 787-9005
製造零件編號:: SI1012CR-T1-GE3
製造商:: Vishay

規格

產品概覽和技術數據資料表

法例與合規

產品詳細資訊

透過選取一個或多個屬性來查找類似產品。

選取全部	屬性	值
	品牌	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	630mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Series	Si1012CR
	Package Type	SC-75
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.1Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	1.3nC
	Forward Voltage Vf	0.8V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	8 V
	Maximum Power Dissipation Pd	240mW
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Length	1.68mm
	Width	0.86 mm
	Height	0.8mm
	Automotive Standard	No

	選取全部
	品牌 Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 630mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Series Si1012CR
	Package Type SC-75
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.1Ω
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 1.3nC
	Forward Voltage Vf 0.8V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 8 V
	Maximum Power Dissipation Pd 240mW
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Length 1.68mm
	Width 0.86 mm
	Height 0.8mm
	Automotive Standard No

Vishay Si1012CR Type N-Channel MOSFET, 630 mA, 20 V Enhancement, 3-Pin SC-75 SI1012CR-T1-GE3

訂單超過 $1,300.00 免費送貨

N-Channel MOSFET, 8V to 25V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

相關連結