製造零件編號

Toshiba 2SK Type N-Channel Field Effect Transistor, 10 A, 100 V Enhancement, 3-Pin 2SK3669(Q)

RS庫存編號:: 601-2116
製造零件編號:: 2SK3669(Q)
製造商:: Toshiba

Toshiba 2SK Type N-Channel Field Effect Transistor, 10 A, 100 V Enhancement, 3-Pin 2SK3669(Q)

此圖片僅供參考，請參閲產品詳細資訊及規格

可享批量折扣

小計（1 包，共 5 件）*

TWD159.00

(不含稅)

TWD166.95

訂單超過 $1,300.00 免費送貨

暫時缺貨

615 件從 2026年1月29日起裝運發貨

**需要更多嗎？**輸入您需要的數量，然後按一下「查看送貨日期」以查詢更多庫存和送貨詳細資訊。

單位	每單位	每包*
5 - 20	TWD31.80	TWD159.00
25 - 120	TWD31.00	TWD155.00
125 - 245	TWD30.00	TWD150.00
250 +	TWD29.20	TWD146.00

* 參考價格

RS庫存編號:: 601-2116
製造零件編號:: 2SK3669(Q)
製造商:: Toshiba

規格

產品概覽和技術數據資料表

法例與合規

產品詳細資訊

透過選取一個或多個屬性來查找類似產品。

選取全部	屬性	值
	品牌	Toshiba
	Product Type	Field Effect Transistor
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	10A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	2SK
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	125mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	2W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	8nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.7V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	5.5 mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Height	2.3mm
	Length	6.5mm
	Automotive Standard	No

	選取全部
	品牌 Toshiba
	Product Type Field Effect Transistor
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 10A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series 2SK
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 125mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 2W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 8nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.7V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 5.5 mm
	Standards/Approvals RoHS
	Height 2.3mm
	Length 6.5mm
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: JP

Toshiba 2SK Type N-Channel Field Effect Transistor, 10 A, 100 V Enhancement, 3-Pin 2SK3669(Q)

訂單超過 $1,300.00 免費送貨

MOSFET N-Channel, 2SK Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

相關連結