Toshiba Silicon N-Channel MOSFET, 200 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 T2N7002AK,LM(T

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包裝方式:
RS庫存編號:
236-3585
製造零件編號:
T2N7002AK,LM(T
製造商:
Toshiba
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品牌

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

200 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

3.2e+006 Ω

Maximum Gate Threshold Voltage

2.1V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

The Toshiba field effect transistor made up of the silicon material and having N channel MOS type. It is mainly used in high speed switching applications.

Storage temperature range −55 to 150 °C

For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.


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