製造零件編號

Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263

RS庫存編號:: 218-3032
製造零件編號:: IPB120N06S4H1ATMA2
製造商:: Infineon

Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263

此圖片僅供參考，請參閲產品詳細資訊及規格

可享批量折扣

小計（1 卷，共 1000 件）*

TWD64,500.00

(不含稅)

TWD67,720.00

訂單超過 $1,300.00 免費送貨

暫時缺貨

從 2026年4月07日發貨

**需要更多嗎？**輸入您需要的數量，然後按一下「查看送貨日期」以查詢更多庫存和送貨詳細資訊。

單位	每單位	每卷*
1000 - 4000	TWD64.50	TWD64,500.00
5000 +	TWD62.50	TWD62,500.00

* 參考價格

RS庫存編號:: 218-3032
製造零件編號:: IPB120N06S4H1ATMA2
製造商:: Infineon

規格

產品概覽和技術數據資料表

法例與合規

產品詳細資訊

透過選取一個或多個屬性來查找類似產品。

選取全部	屬性	值
	品牌	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	120A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	OptiMOS-T2
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	2mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	AEC-Q101

	選取全部
	品牌 Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 120A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series OptiMOS-T2
	Package Type TO-263
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 2mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - IPB120N06S4H1ATMA2

The Infineon OptiMOS™-T2 series N-channel power MOSFET. It has low switching and conduction power losses for high thermal efficiency.

N-channel - Enhancement mode

175°C operating temperature

100% Avalanche tested

Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263

訂單超過 $1,300.00 免費送貨

相關連結