製造零件編號

Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET, 180 A, 40 V Enhancement, 7-Pin TO-263 IPB180N04S4H0ATMA1

RS庫存編號:: 218-3036
製造零件編號:: IPB180N04S4H0ATMA1
製造商:: Infineon

Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET, 180 A, 40 V Enhancement, 7-Pin TO-263 IPB180N04S4H0ATMA1

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RS庫存編號:: 218-3036
製造零件編號:: IPB180N04S4H0ATMA1
製造商:: Infineon

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產品詳細資訊

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選取全部	屬性	值
	品牌	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	180A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Series	OptiMOS-T2
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Surface
	Pin Count	7
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.1mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	AEC-Q101

	選取全部
	品牌 Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 180A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Series OptiMOS-T2
	Package Type TO-263
	Mount Type Surface
	Pin Count 7
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.1mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - IPB180N04S4H0ATMA1

The Infineon OptiMOS™-T2 series N-channel automotive MOSFET. It has TO263-7-3 package type.

175°C operating temperature

Ultra low Rds(on)

100% Avalanche tested

Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET, 180 A, 40 V Enhancement, 7-Pin TO-263 IPB180N04S4H0ATMA1

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