製造零件編號

Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB120N06S4H1ATMA2

RS庫存編號:: 218-3033
製造零件編號:: IPB120N06S4H1ATMA2
製造商:: Infineon

Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB120N06S4H1ATMA2

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RS庫存編號:: 218-3033
製造零件編號:: IPB120N06S4H1ATMA2
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法例與合規

產品詳細資訊

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選取全部	屬性	值
	品牌	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	120A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	TO-263
	Series	OptiMOS-T2
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	2mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	AEC-Q101

	選取全部
	品牌 Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 120A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type TO-263
	Series OptiMOS-T2
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 2mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - IPB120N06S4H1ATMA2

The Infineon OptiMOS™-T2 series N-channel power MOSFET. It has low switching and conduction power losses for high thermal efficiency.

N-channel - Enhancement mode

175°C operating temperature

100% Avalanche tested

Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB120N06S4H1ATMA2

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