製造零件編號

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 170 A, 75 V TO-263 IRFS3207ZTRRPBF

RS庫存編號:: 217-2632
製造零件編號:: IRFS3207ZTRRPBF
製造商:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 170 A, 75 V TO-263 IRFS3207ZTRRPBF

此圖片僅供參考，請參閲產品詳細資訊及規格

可享批量折扣

小計（1 包，共 5 件）*

TWD631.00

(不含稅)

TWD662.55

訂單超過 $1,300.00 免費送貨

暫時缺貨

從 2026年4月06日發貨

**需要更多嗎？**輸入您需要的數量，然後按一下「查看送貨日期」以查詢更多庫存和送貨詳細資訊。

單位	每單位	每包*
5 - 195	TWD126.20	TWD631.00
200 - 395	TWD123.00	TWD615.00
400 +	TWD115.00	TWD575.00

* 參考價格

RS庫存編號:: 217-2632
製造零件編號:: IRFS3207ZTRRPBF
製造商:: Infineon

規格

產品概覽和技術數據資料表

法例與合規

產品詳細資訊

透過選取一個或多個屬性來查找類似產品。

選取全部	屬性	值
	品牌	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	170A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	75V
	Package Type	TO-263
	Series	HEXFET
	Mount Type	Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds	4.1mΩ
	Maximum Power Dissipation Pd	300W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	170nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Height	9.65mm
	Width	4.83 mm
	Length	10.67mm
	Automotive Standard	No

	選取全部
	品牌 Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 170A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 75V
	Package Type TO-263
	Series HEXFET
	Mount Type Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds 4.1mΩ
	Maximum Power Dissipation Pd 300W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 170nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Height 9.65mm
	Width 4.83 mm
	Length 10.67mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IRFS3207ZTRRPBF

The Infineon 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package.

Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness

Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA

Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability

Lead-Free

RoHS Compliant, Halogen-Free

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 170 A, 75 V TO-263 IRFS3207ZTRRPBF

訂單超過 $1,300.00 免費送貨

相關連結