Vishay SiSS78LDN N-Channel MOSFET, 66.7 A, 70 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SiSS78LDN-T1-GE3

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包裝方式:
RS庫存編號:
210-5020
製造零件編號:
SiSS78LDN-T1-GE3
製造商:
Vishay
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品牌

Vishay

Series

SiSS78LDN

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current (Id)

66.7 A

Maximum Drain Source Voltage (Vds)

70 V

Channel Mode

Enhancement

Pin Count

8

Package Type

PowerPAK 1212-8S

Automotive Standard

No

Forward Voltage (Vf)

1.1 V

Height

830 μm

Length

3.4 mm

Maximum Drain Source Resistance (Rds)

4.8 mΩ

Maximum Gate Source Voltage (Vgs)

20 V

Maximum Operating Temperature

150 °C

Maximum Power Dissipation (Pd)

57 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Mount Type

Surface

Standards/Approvals

No

Typical Gate Charge (Qg) @ Vgs

32 nC

Width

3.4 mm

The Vishay N-Channel 70 V (D-S) MOSFET has PowerPAK 1212-8S package type.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

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