Vishay SiS126DN Type N-Channel MOSFET, 45.1 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SIS126DN-T1-GE3

此圖片僅供參考，請參閲產品詳細資訊及規格

查看所有MOSFETs
可享批量折扣

小計（1 包，共 10 件）*

TWD228.00

(不含稅)

TWD239.40

(含稅)

Add to Basket
選擇或輸入數量
暫時缺貨
  • 從 2026年5月20日 發貨
**需要更多嗎？**輸入您需要的數量，然後按一下「查看送貨日期」以查詢更多庫存和送貨詳細資訊。
單位
每單位
每包*
10 - 740TWD22.80TWD228.00
750 - 1490TWD22.10TWD221.00
1500 +TWD21.90TWD219.00

* 參考價格

包裝方式：
RS庫存編號:
188-5134
Distrelec 貨號:
304-32-534
製造零件編號:
SIS126DN-T1-GE3
製造商:
Vishay
透過選取一個或多個屬性來查找類似產品。
選取全部

品牌

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

45.1A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

PowerPAK 1212

Series

SiS126DN

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

12.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

52W

Forward Voltage Vf

1.1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

21.1nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.07mm

Width

3.15 mm

Length

3.15mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

N-Channel 80 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

相關連結