製造零件編號

Vishay SiSH101DN Type P-Channel MOSFET, 35 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212

RS庫存編號:: 188-4892
製造零件編號:: SiSH101DN-T1-GE3
製造商:: Vishay

Vishay SiSH101DN Type P-Channel MOSFET, 35 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212

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RS庫存編號:: 188-4892
製造零件編號:: SiSH101DN-T1-GE3
製造商:: Vishay

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產品詳細資訊

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選取全部	屬性	值
	品牌	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	35A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	PowerPAK 1212
	Series	SiSH101DN
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	13mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	52W
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	25 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	68nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	3.3mm
	Standards/Approvals	No
	Height	0.93mm
	Width	3.3 mm
	Automotive Standard	No

	選取全部
	品牌 Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 35A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type PowerPAK 1212
	Series SiSH101DN
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 13mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 52W
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 68nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 3.3mm
	Standards/Approvals No
	Height 0.93mm
	Width 3.3 mm
	Automotive Standard No

Datasheet SiSH101DN-T1-GE3

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® power MOSFET

Vishay SiSH101DN Type P-Channel MOSFET, 35 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212

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