Vishay SiSS05DN Type P-Channel MOSFET, 108 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212

此圖片僅供參考，請參閲產品詳細資訊及規格

查看所有MOSFETs
可享批量折扣

小計（1 卷，共 3000 件）*

TWD57,600.00

(不含稅)

TWD60,480.00

(含稅)

Add to Basket
選擇或輸入數量
暫時缺貨
  • 從 2026年7月20日 發貨
**需要更多嗎？**輸入您需要的數量，然後按一下「查看送貨日期」以查詢更多庫存和送貨詳細資訊。
單位
每單位
每卷*
3000 - 3000TWD19.20TWD57,600.00
6000 +TWD18.60TWD55,800.00

* 參考價格

RS庫存編號:
188-4900
製造零件編號:
SiSS05DN-T1-GE3
製造商:
Vishay
透過選取一個或多個屬性來查找類似產品。
選取全部

品牌

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

108A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerPAK 1212

Series

SiSS05DN

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

5.8mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

76nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16 V

Maximum Power Dissipation Pd

65.7W

Forward Voltage Vf

-1.1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

3.3 mm

Length

3.3mm

Height

0.78mm

Automotive Standard

No

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® Gen IV p-channel power MOSFET

Provides exceptionally low RDS(on) in a compact package that is thermally enhanced

Enables higher power density

相關連結