IXYS GigaMOS TrenchT2 HiperFET Type N-Channel MOSFET, 310 A, 150 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN360N15T2

此圖片僅供參考，請參閲產品詳細資訊及規格

查看所有MOSFETs
可享批量折扣

小計（1 件）*

TWD1,571.00

(不含稅)

TWD1,649.55

(含稅)

Add to Basket
選擇或輸入數量
有庫存
  • 加上 1 件從 2026年3月23日 起發貨
  • 加上 67 件從 2026年3月30日 起發貨
**需要更多嗎？**輸入您需要的數量，然後按一下「查看送貨日期」以查詢更多庫存和送貨詳細資訊。
單位
每單位
1 - 2TWD1,571.00
3 - 4TWD1,534.00
5 +TWD1,509.00

* 參考價格

RS庫存編號:
125-8042
Distrelec 貨號:
302-53-371
製造零件編號:
IXFN360N15T2
製造商:
IXYS
透過選取一個或多個屬性來查找類似產品。
選取全部

品牌

IXYS

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

310A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Series

GigaMOS TrenchT2 HiperFET

Package Type

SOT-227

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

715nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

1.07kW

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

25.07 mm

Standards/Approvals

No

Length

38.23mm

Height

9.6mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
PH

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series


MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

相關連結