IXYS Type N-Channel MOSFET, 72 A, 600 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN82N60P

此圖片僅供參考,請參閲產品詳細資訊及規格

可享批量折扣

小計(1 件)*

TWD1,329.00

(不含稅)

TWD1,395.45

(含稅)

Add to Basket
選擇或輸入數量
有庫存
  • 99 件準備從其他地點送貨
  • 加上 116 件從 2026年1月05日 起發貨
  • 加上 350 件從 2026年8月21日 起發貨
**需要更多嗎?**輸入您需要的數量,然後按一下「查看送貨日期」以查詢更多庫存和送貨詳細資訊。
單位
每單位
1 - 2TWD1,329.00
3 - 4TWD1,289.00
5 +TWD1,264.00

* 參考價格

RS庫存編號:
194-130
製造零件編號:
IXFN82N60P
製造商:
IXYS
透過選取一個或多個屬性來查找類似產品。
選取全部

品牌

IXYS

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

72A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

SOT-227

Mount Type

Panel

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

75mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

1.04kW

Forward Voltage Vf

1.5V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

240nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

9.6mm

Width

25.07 mm

Standards/Approvals

No

Length

38.2mm

Automotive Standard

No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series


N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

相關連結