IXYS HiperFET, Polar Type N-Channel MOSFET, 115 A, 200 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN140N20P

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包裝方式：
RS庫存編號:
193-616
Distrelec 貨號:
302-53-362
製造零件編號:
IXFN140N20P
製造商:
IXYS
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品牌

IXYS

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

115A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Series

HiperFET, Polar

Package Type

SOT-227

Mount Type

Panel

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

18mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

680W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

240nC

Forward Voltage Vf

1.5V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

9.6mm

Standards/Approvals

No

Length

38.23mm

Width

25.42 mm

Automotive Standard

No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series


N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

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