製造零件編號

Infineon FF300R12KT4HOSA1 IGBT Module, 450 A 1200 V

RS庫存編號:: 244-5825
製造零件編號:: FF300R12KT4HOSA1
製造商:: Infineon

Infineon FF300R12KT4HOSA1 IGBT Module, 450 A 1200 V

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製造零件編號:: FF300R12KT4HOSA1
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產品詳細資訊

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選取全部	屬性	值
	品牌	Infineon
	Product Type	IGBT Module
	Maximum Continuous Collector Current Ic	450A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	1200V
	Maximum Power Dissipation Pd	1600W
	Number of Transistors	2
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2.15V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Series	FF
	Automotive Standard	No

	選取全部
	品牌 Infineon
	Product Type IGBT Module
	Maximum Continuous Collector Current Ic 450A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V
	Maximum Power Dissipation Pd 1600W
	Number of Transistors 2
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.15V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Series FF
	Automotive Standard No

Datasheet - FF300R12KT4HOSA1

The infineon IGBT module the maximum rated collector emitter voltage is 1200 V and toatal power dissipation is 1600 W, maximum gate threshold voltage is 6.4 V.

Internal isolation basic insulation (class 1, IEC 61140)

Gate-emitter peak voltage + /- 20 V

Collector-emitter saturation voltage 2.15 V

Gate-emitter leakage current 400 nA

Infineon FF300R12KT4HOSA1 IGBT Module, 450 A 1200 V

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