Infineon BFS483H6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 65 mA NPN, 20 V, 6-Pin SOT-363

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包裝方式:
RS庫存編號:
259-1460
製造零件編號:
BFS483H6327XTSA1
製造商:
Infineon
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品牌

Infineon

Product Type

RF Bipolar Transistor

Maximum DC Collector Current Idc

65mA

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

20V

Package Type

SOT-363

Mount Type

Surface

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Collector Base Voltage VCBO

20V

Maximum Transition Frequency ft

8GHz

Transistor Polarity

NPN

Maximum Power Dissipation Pd

450mW

Minimum DC Current Gain hFE

70

Minimum Operating Temperature

-65°C

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

2V

Pin Count

6

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

2.1mm

Width

2mm

Standards/Approvals

RoHS

Series

BFS

Height

0.9mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon NPN silicon RF transistor for low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 2 mA to 30 mA.

Pb-free (RoHS compliant) package

Two (galvanic) internal isolated Transistor in one package

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