製造零件編號

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 29 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263

RS庫存編號:: 262-6782
製造零件編號:: IRFZ34NSTRLPBF
製造商:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 29 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263

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RS庫存編號:: 262-6782
製造零件編號:: IRFZ34NSTRLPBF
製造商:: Infineon

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法例與合規

產品詳細資訊

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選取全部	屬性	值
	品牌	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	29A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	55V
	Package Type	TO-263
	Series	HEXFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.075Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	選取全部
	品牌 Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 29A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 55V
	Package Type TO-263
	Series HEXFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.075Ω
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - IRFZ34NSTRLPBF

The Infineon power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. This design has features such as 175°C operating temperature, fast switching speed.

Fully avalanche rated

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 29 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263

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