製造零件編號

Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB029N06NF2SATMA1

RS庫存編號:: 262-5859
製造零件編號:: IPB029N06NF2SATMA1
製造商:: Infineon

Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB029N06NF2SATMA1

此圖片僅供參考，請參閲產品詳細資訊及規格

可享批量折扣

小計（1 包，共 5 件）*

TWD221.00

(不含稅)

TWD232.05

訂單超過 $1,300.00 免費送貨

有庫存

550 件準備從其他地點送貨

**需要更多嗎？**輸入您需要的數量，然後按一下「查看送貨日期」以查詢更多庫存和送貨詳細資訊。

單位	每單位	每包*
5 - 20	TWD44.20	TWD221.00
25 - 45	TWD29.80	TWD149.00
50 - 95	TWD29.00	TWD145.00
100 - 245	TWD28.40	TWD142.00
250 +	TWD27.80	TWD139.00

* 參考價格

RS庫存編號:: 262-5859
製造零件編號:: IPB029N06NF2SATMA1
製造商:: Infineon

規格

產品概覽和技術數據資料表

法例與合規

產品詳細資訊

透過選取一個或多個屬性來查找類似產品。

選取全部	屬性	值
	品牌	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	120A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	iPB
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.15mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	選取全部
	品牌 Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 120A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series iPB
	Package Type TO-263
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.15mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - IPB029N06NF2SATMA1

The Infineon N channel power transistor is optimized for wide range of applications and it is 100 percent avalanche tested.

Pb-free lead plating

RoHS compliant

Halogen free according to IEC61249-2-21

Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB029N06NF2SATMA1

訂單超過 $1,300.00 免費送貨

相關連結