製造零件編號

Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 190 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB013N06NF2SATMA1

RS庫存編號:: 262-5848
製造零件編號:: IPB013N06NF2SATMA1
製造商:: Infineon

Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 190 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB013N06NF2SATMA1

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製造零件編號:: IPB013N06NF2SATMA1
製造商:: Infineon

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法例與合規

產品詳細資訊

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選取全部	屬性	值
	品牌	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	190A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	iPB
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.15mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	選取全部
	品牌 Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 190A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series iPB
	Package Type TO-263
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.15mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - IPB013N06NF2SATMA1

The Infineon N channel power transistor is optimized for wide range of applications and it is 100 percent avalanche tested.

Pb-free lead plating

RoHS compliant

Halogen free according to IEC61249-2-21

Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 190 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB013N06NF2SATMA1

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