製造零件編號

Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 180 A Enhancement TO-263 IPB180N06S4H1ATMA2

RS庫存編號:: 260-5120
製造零件編號:: IPB180N06S4H1ATMA2
製造商:: Infineon

Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 180 A Enhancement TO-263 IPB180N06S4H1ATMA2

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製造零件編號:: IPB180N06S4H1ATMA2
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法例與合規

產品詳細資訊

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選取全部	屬性	值
	品牌	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	180A
	Package Type	TO-263
	Series	iPB
	Channel Mode	Enhancement
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	AEC-Q101

	選取全部
	品牌 Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 180A
	Package Type TO-263
	Series iPB
	Channel Mode Enhancement
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - IPB180N06S4H1ATMA2

The Infineon N channel optiMOS power MOSFETs provide excellent gate charge. It has highest current capability. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.

N channel enhancement mode

MSL1 up to 260°C peak reflow

100% Avalanche tested

Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 180 A Enhancement TO-263 IPB180N06S4H1ATMA2

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