Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 180 A Enhancement TO-263 IPB180N06S4H1ATMA2
- RS庫存編號:
- 260-5120
- 製造零件編號:
- IPB180N06S4H1ATMA2
- 製造商:
- Infineon
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- RS庫存編號:
- 260-5120
- 製造零件編號:
- IPB180N06S4H1ATMA2
- 製造商:
- Infineon
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選取全部 | 屬性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 180A | |
| Series | iPB | |
| Package Type | TO-263 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| 選取全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 180A | ||
Series iPB | ||
Package Type TO-263 | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon N channel optiMOS power MOSFETs provide excellent gate charge. It has highest current capability. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.
N channel enhancement mode
MSL1 up to 260°C peak reflow
100% Avalanche tested
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