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Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 24 A, 200 V TO-263

Name: Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 24 A, 200 V TO-263
Brand: Infineon
SKU: 257-9434
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產品詳細資訊

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選取全部	屬性	值
	品牌	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	24A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	200V
	Package Type	TO-263
	Series	HEXFET
	Maximum Drain Source Resistance Rds	77.5mΩ
	Maximum Power Dissipation Pd	144W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	25nC
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	選取全部
	品牌 Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 24A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 200V
	Package Type TO-263
	Series HEXFET
	Maximum Drain Source Resistance Rds 77.5mΩ
	Maximum Power Dissipation Pd 144W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 25nC
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

The Infineon IRFS series is the 200V single n channel HEXFET Power mosfet in a D2 Pak package.

Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness

Fully characterized capacitance and avalanche SOA

Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability lead free

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