製造零件編號

Toshiba U-MOSVIII-H Type N-Channel MOSFET, 263 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 TK100E06N1,S1X(S

RS庫存編號:: 125-0528
製造零件編號:: TK100E06N1,S1X(S
製造商:: Toshiba

Toshiba U-MOSVIII-H Type N-Channel MOSFET, 263 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 TK100E06N1,S1X(S

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RS庫存編號:: 125-0528
製造零件編號:: TK100E06N1,S1X(S
製造商:: Toshiba

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產品詳細資訊

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選取全部	屬性	值
	品牌	Toshiba
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	263A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	TO-220
	Series	U-MOSVIII-H
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	2.3mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	255W
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	140nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	10.16mm
	Width	4.45 mm
	Standards/Approvals	No
	Height	15.1mm
	Automotive Standard	No

	選取全部
	品牌 Toshiba
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 263A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type TO-220
	Series U-MOSVIII-H
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 2.3mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 255W
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 140nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 10.16mm
	Width 4.45 mm
	Standards/Approvals No
	Height 15.1mm
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: JP

Toshiba U-MOSVIII-H Type N-Channel MOSFET, 263 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 TK100E06N1,S1X(S

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MOSFET Transistors, Toshiba

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