製造零件編號

Infineon FS150R12KT3BOSA1 IGBT Module, 200 A 1200 V

RS庫存編號:: 244-5404
製造零件編號:: FS150R12KT3BOSA1
製造商:: Infineon

Infineon FS150R12KT3BOSA1 IGBT Module, 200 A 1200 V

可享批量折扣

小計（1 件）*

TWD4,346.00

(不含稅)

TWD4,563.30

訂單超過 $1,300.00 免費送貨

有庫存

4 件準備從其他地點送貨

**需要更多嗎？**輸入您需要的數量，然後按一下「查看送貨日期」以查詢更多庫存和送貨詳細資訊。

單位	每單位
1 - 1	TWD4,346.00
2 +	TWD4,259.00

* 參考價格

RS庫存編號:: 244-5404
製造零件編號:: FS150R12KT3BOSA1
製造商:: Infineon

規格

產品概覽和技術數據資料表

法例與合規

產品詳細資訊

透過選取一個或多個屬性來查找類似產品。

選取全部	屬性	值
	品牌	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current	200 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	1200 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	+/-20V
	Number of Transistors	6
	Maximum Power Dissipation	700 W

	選取全部
	品牌 Infineon
	Maximum Continuous Collector Current 200 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
	Maximum Gate Emitter Voltage +/-20V
	Number of Transistors 6
	Maximum Power Dissipation 700 W

Datasheet - FS150R12KT3BOSA1

The infineon IGBT module the maximum rated repetitive peak collector current is 300 A and collector-emitter saturation voltag 2.15 V, gate threshold voltage is 6.5 V.

Collector-emitter cut-off current 5.0 mA
Temperature under switching conditions 125° C
Gate-emitter leakage current 400 nA
Reverse transfer capacitance 0.40 nF

Infineon FS150R12KT3BOSA1 IGBT Module, 200 A 1200 V

訂單超過 $1,300.00 免費送貨

For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.

相關連結