製造零件編號

Infineon IKB15N65EH5ATMA1 IGBT, 30 A 650 V, 3-Pin PG-TO263-3

RS庫存編號:: 215-6647
製造零件編號:: IKB15N65EH5ATMA1
製造商:: Infineon

Infineon IKB15N65EH5ATMA1 IGBT, 30 A 650 V, 3-Pin PG-TO263-3

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RS庫存編號:: 215-6647
製造零件編號:: IKB15N65EH5ATMA1
製造商:: Infineon

規格

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法例與合規

產品詳細資訊

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選取全部	屬性	值
	品牌	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current	30 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	±20 V, ±30 V
	Maximum Power Dissipation	105 W
	Package Type	PG-TO263-3
	Pin Count	3

	選取全部
	品牌 Infineon
	Maximum Continuous Collector Current 30 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage ±20 V, ±30 V
	Maximum Power Dissipation 105 W
	Package Type PG-TO263-3
	Pin Count 3

Datasheet-IKB15N65EH5ATMA1

The Infineon high speed switching insulated-gate bipolar transistor copacked with full rated current rapid 1 antiparallel diode also has 650v breakdown voltage.

High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference

Infineon IKB15N65EH5ATMA1 IGBT, 30 A 650 V, 3-Pin PG-TO263-3

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