製造零件編號

Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET, 15.8 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-3P TK16J60W,S1VQ(O

RS庫存編號:: 799-5043
製造零件編號:: TK16J60W,S1VQ(O
製造商:: Toshiba

Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET, 15.8 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-3P TK16J60W,S1VQ(O

小計（1 件）*

TWD60.00

(不含稅)

TWD63.00

訂單超過 $1,300.00 免費送貨

有庫存

23 件準備從其他地點送貨

**需要更多嗎？**輸入您需要的數量，然後按一下「查看送貨日期」以查詢更多庫存和送貨詳細資訊。

單位	每單位
1 +	TWD60.00

* 參考價格

RS庫存編號:: 799-5043
製造零件編號:: TK16J60W,S1VQ(O
製造商:: Toshiba

規格

產品概覽和技術數據資料表

法例與合規

產品詳細資訊

透過選取一個或多個屬性來查找類似產品。

選取全部	屬性	值
	品牌	Toshiba
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	15.8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Package Type	TO-3P
	Series	DTMOSIV
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	190mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	130W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	38nC
	Forward Voltage Vf	-1.7V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Height	20mm
	Width	4.5 mm
	Length	15.5mm
	Automotive Standard	No

	選取全部
	品牌 Toshiba
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 15.8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Package Type TO-3P
	Series DTMOSIV
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 190mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 130W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 38nC
	Forward Voltage Vf -1.7V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Height 20mm
	Width 4.5 mm
	Length 15.5mm
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: JP

Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET, 15.8 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-3P TK16J60W,S1VQ(O

訂單超過 $1,300.00 免費送貨

MOSFET Transistors, Toshiba

相關連結