製造零件編號

Toshiba Type P-Channel MOSFET, 2 A, 30 V Enhancement, 6-Pin UF6 SSM6J402TU(TE85L,F

RS庫存編號:: 756-2779
製造零件編號:: SSM6J402TU(TE85L,F
製造商:: Toshiba

Toshiba Type P-Channel MOSFET, 2 A, 30 V Enhancement, 6-Pin UF6 SSM6J402TU(TE85L,F

此圖片僅供參考，請參閲產品詳細資訊及規格

小計（1 包，共 10 件）*

TWD142.00

(不含稅)

TWD149.10

訂單超過 $1,300.00 免費送貨

有庫存

590 件準備從其他地點送貨
加上 1,830 件從 2026年1月27日起發貨

**需要更多嗎？**輸入您需要的數量，然後按一下「查看送貨日期」以查詢更多庫存和送貨詳細資訊。

單位	每單位	每包*
10 +	TWD14.20	TWD142.00

* 參考價格

RS庫存編號:: 756-2779
製造零件編號:: SSM6J402TU(TE85L,F
製造商:: Toshiba

規格

產品概覽和技術數據資料表

法例與合規

產品詳細資訊

透過選取一個或多個屬性來查找類似產品。

選取全部	屬性	值
	品牌	Toshiba
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	UF6
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	225mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	0.8V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	5.3nC
	Maximum Power Dissipation Pd	500mW
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	0.7mm
	Width	2 mm
	Length	1.7mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	選取全部
	品牌 Toshiba
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type UF6
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 225mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 0.8V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 5.3nC
	Maximum Power Dissipation Pd 500mW
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 0.7mm
	Width 2 mm
	Length 1.7mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: JP

Toshiba Type P-Channel MOSFET, 2 A, 30 V Enhancement, 6-Pin UF6 SSM6J402TU(TE85L,F

訂單超過 $1,300.00 免費送貨

Dual MOSFET P-Channel SSM6Pxx, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

相關連結