製造零件編號

Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, 70 A, 30 V N TO-252 IPD068P03L3GATMA1

RS庫存編號:: 258-3831
製造零件編號:: IPD068P03L3GATMA1
製造商:: Infineon

Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, 70 A, 30 V N TO-252 IPD068P03L3GATMA1

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製造零件編號:: IPD068P03L3GATMA1
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法例與合規

產品詳細資訊

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選取全部	屬性	值
	品牌	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	70A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	IPD
	Package Type	TO-252
	Mount Type	Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds	3.6mΩ
	Channel Mode	N
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	選取全部
	品牌 Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 70A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series IPD
	Package Type TO-252
	Mount Type Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds 3.6mΩ
	Channel Mode N
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - IPD068P03L3GATMA1

The Infineon P-channel enhancement mode field-effect transistor is highly innovative OptiMOS families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and figure of merit characteristics.

Enhancement mode

Logic level

Avalanche rated

Fast switching

Dv/dt rated

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