製造零件編號

Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 211 A, 650 V N TO-263 IPBE65R050CFD7AATMA1

RS庫存編號:: 258-3827
製造零件編號:: IPBE65R050CFD7AATMA1
製造商:: Infineon

Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 211 A, 650 V N TO-263 IPBE65R050CFD7AATMA1

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RS庫存編號:: 258-3827
製造零件編號:: IPBE65R050CFD7AATMA1
製造商:: Infineon

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產品詳細資訊

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選取全部	屬性	值
	品牌	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	211A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Package Type	TO-263
	Series	iPB
	Mount Type	Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds	40.7mΩ
	Channel Mode	N
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	選取全部
	品牌 Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 211A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Package Type TO-263
	Series iPB
	Mount Type Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds 40.7mΩ
	Channel Mode N
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - IPBE65R050CFD7AATMA1

The Infineon CoolMOS C3A technology was designed to meet the growing demands of higher system voltages in the area of electric vehicles, such as PHEVs and BEV.

Best-in-class quality and reliability

Higher breakdown voltage

High peak current capability

Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 211 A, 650 V N TO-263 IPBE65R050CFD7AATMA1

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