Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET, 257 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 6 x 5F

此圖片僅供參考,請參閲產品詳細資訊及規格

可享批量折扣

小計(1 卷,共 3000 件)*

TWD75,600.00

(不含稅)

TWD79,380.00

(含稅)

Add to Basket
選擇或輸入數量
有庫存
  • 加上 3,000 件從 2026年1月19日 起發貨
**需要更多嗎?**輸入您需要的數量,然後按一下「查看送貨日期」以查詢更多庫存和送貨詳細資訊。
單位
每單位
每卷*
3000 - 12000TWD25.20TWD75,600.00
15000 +TWD24.40TWD73,200.00

* 參考價格

RS庫存編號:
228-2940
製造零件編號:
SiZF906BDT-T1-GE3
製造商:
Vishay
透過選取一個或多個屬性來查找類似產品。
選取全部

品牌

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

257A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerPAIR 6 x 5F

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0021Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

83W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

25nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Transistor Configuration

Dual

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

The Vishay Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

相關連結